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용인 클러스터

SK하이닉스 · 대한민국
SK하이닉스메모리건설 중📍 대한민국

개요

기업
SK하이닉스
국가
대한민국
유형
메모리
상태
건설 중
주요제품
차세대 DRAM·HBM(가동 시 예정)
제품특징
차세대 EUV DRAM 예정, 미니팹·R&D 병행 계획(라인 구성 미확정)
장비
ASML EUV 등 최선단 장비 도입 예정(추정)
규모
300mm, 1기 팹 투자 약 31조원, 첫 클린룸 2027년 목표, 용인 반도체 클러스터(부지 약 415만㎡)
인력
확인 필요(건설 단계)
지분구조
SK스퀘어 ~20%, 국민연금 ~8%, 외국인 기관 다수

설명

31조원 차세대 DRAM 1기 팹 — 첫 클린룸 2027년 목표.

배경

한국 정부가 국가전략으로 추진하는 용인 반도체 클러스터의 첫 앵커 팹으로, 향후 수십 년 SK하이닉스 DRAM 캐파의 기반이 될 부지다. 전력·용수 등 인프라 구축이 국가 프로젝트로 병행되고 있어 착공 이후 일정 준수가 관전 포인트다. 소부장 협력사 동반 입주로 수직 생태계를 한곳에 모으는 실험이기도 하다.

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