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상하이 팹단지

개요

기업

SMIC

국가

중국

유형

파운드리

상태

가동·확장

주요제품

성숙노드~14nm FinFET(SN1) 및 7nm급 시도 파운드리 (스마트폰 AP 등)

제품특징

본사·R&D 거점. 14nm FinFET(SN1) 양산 및 린강 신팹 램프업. 미국 제재로 EUV 도입 불가, DUV 멀티패터닝으로 7nm급(N+2) 구현하나 수율·원가 제약.

장비

ASML DUV(EUV 반입 금지), 일부 국산화(나우라·AMEC 등), AMAT·Lam·TEL(제재 영향). 국산 장비 비중 확대 흐름.

규모

12인치 다수 라인, 린강 신팹 월 10만 장 목표(추정). 국가 반도체기금(빅펀드) 지원.

인력

확인 필요

지분구조

중국 국가IC기금(빅펀드) 등 국유 지분 다수 — 미 제재 대상

설명

본사·R&D + 14nm급 FinFET(SN1), 린강 신팹 램프업. 제재 속 7nm 시도.

배경

SMIC의 기술 최전선으로, EUV 없이 DUV 멀티패터닝으로 7nm급 공정을 구현해 화웨이 스마트폰 칩을 생산한 것으로 알려진 곳이다. 미 수출통제의 실효성을 가늠하는 시험대로, 낮은 수율과 높은 원가를 국가 지원으로 감수하는 최선단 도전이 계속된다. 화웨이 AI 칩(어센드) 생산 능력 확충 여부가 미·중 기술 경쟁의 핵심 관전 포인트다.

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