DRAM(DDR5·LPDDR5·HBM3E/HBM4용 코어·베이스 다이), 3D V낸드, EUV 로직 파운드리
제품특징
EUV 적용 1a/1b nm급 선단 DRAM, 200단 이상 V낸드, HBM용 TSV 병행, 5/7nm급 로직 파운드리 라인 혼재. P4에 HBM4용 라인 포함
장비
ASML EUV(NXE)·DUV(이머전), Applied Materials·Lam Research 식각/증착, Tokyo Electron, KLA 계측
규모
300mm, 세계 최대 메모리 생산단지(부지 약 289만㎡), P1~P4 순차 가동·P4 잔여 건설, 누적 투자 100조원 이상 규모(추정)
인력
확인 필요(사업장 단위 비공개, 삼성전자 DS부문 국내 수만명 중 최대 거점)
지분구조
이재용 일가·특수관계인 ~20%, 국민연금 ~7%, 외국인 기관 50%+
설명
세계 최대 메모리 단지 — P4에 HBM4용 라인 포함.
배경
삼성 메모리 캐파의 최대 집적지로 DRAM·NAND·파운드리 라인이 한 부지에 공존하는 복합 단지다. HBM 경쟁에서 SK하이닉스에 밀린 삼성이 HBM4 세대 반격을 준비하는 물리적 거점이어서 라인 전환·증설 속도가 시장의 최대 관심사다. 단일 부지 초집중에 따른 전력망 부담이 국가 인프라 이슈로 부상해 있다.