N4/N5(4/5nm) 선단 로직 파운드리(애플·엔비디아·AMD 등), 향후 N3·N2 도입 계획
제품특징
선단 로직, EUV 적용, 1기 4nm 양산(수율 대만 팹 수준 확보)
장비
ASML EUV·DUV, AMAT·Lam·TEL·KLA
규모
300mm; 6개 팹 계획 총투자 약 1,650억달러(CHIPS 보조 66억달러), 1기 가동·2기 2027 하반기 양산
인력
최종 약 6,000명(직접) 계획, 건설 누적 2만명+
지분구조
대만 국가발전기금 ~6%, 외국인 기관 ~70% (ADR 포함)
설명
4nm 양산(수율 대만 상회) — 미국 리쇼어링의 상징.
배경
TSMC의 첫 미국 최선단 팹이자 CHIPS법 보조금의 대표 수혜 프로젝트로, 미국 내 첨단 로직 생산 복원의 시금석이다. 애플·엔비디아·AMD가 미국산 물량 확보를 공언하면서 후속 페이즈에 3nm·2nm와 첨단 패키징까지 얹는 방향으로 투자가 확대됐다. 다만 대만 대비 높은 건설·인건비와 미국 관세 정책 향방이 추가 투자 속도를 좌우하는 변수다.