성숙·특수 로직 파운드리(12/14nm급 FinFET, 22FDX FDSOI 등), RF·전력
제품특징
성숙·특수 노드(FinFET~FDSOI), 자동차·IoT·항공우주·방산용
장비
DUV 위주(성숙·특수)
규모
300mm; 10년간 116억달러 확장(신규 팹동), CHIPS 보조 15억달러(NY·VT), 연 약 40만장
인력
몰타 약 2,300명, 확장으로 1,500명+ 추가 계획
지분구조
UAE 국부펀드 무바달라 ~81%
설명
GF 본사 최첨단 팹(12/14nm급) — CHIPS 지원 신팹 착공.
배경
GF의 최선단(12/14nm급) 팹으로, 미 국방부 신뢰 공급자 인증에 기반한 국방·항공 수주의 기반이다. 최첨단 미세화 경쟁에서 이탈하는 대신 RF·특화 공정으로 차별화하는 GF 모델의 본거지이며, CHIPS 보조금으로 신규동 증설이 진행된다. 미국 내 '비(非)빅3' 파운드리 캐파로서 안보적 가치가 부각된다.