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쿨림 SiC 팹

개요

기업

인피니언

국가

말레이시아

유형

로직(IDM)

상태

가동·확장

주요제품

SiC 전력반도체(파워 MOSFET·다이오드 등), GaN 에피 병행

제품특징

200mm SiC 웨이퍼 전력반도체, 자동차·산업·재생에너지용, 세계 최대·고효율 200mm SiC 팹 목표

장비

SiC 전용 에피·식각·증착·이온주입 등 전력반도체 라인 장비, GaN 에피 설비

규모

200mm SiC, 총투자 최대 약 70억유로(1단계 20억+2단계 최대 50억), 세계 최대 200mm SiC 단지 목표(2024.8 1단계 가동)

인력

확인 필요(프로젝트 완공 시 최대 약 4,000명 창출 예정)

지분구조

독일 상장 — 기관 분산

설명

세계 최대 200mm SiC 전력반도체 팹 목표.

배경

인피니언 와이드밴드갭(SiC·GaN) 전략의 핵심 투자로, 전기차·재생에너지 인버터용 전력반도체를 겨냥한다. 전기차 수요 둔화로 SiC 시장 성장세가 조정받으면서 램프 속도 조절이 관전 포인트가 됐다. 중국 SiC 업체들의 저가 공세가 새로운 경쟁 변수로 부상했다.

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