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화성 캠퍼스

개요

기업

삼성전자

국가

대한민국

유형

메모리·파운드리

상태

가동

주요제품

EUV 로직 파운드리(N5/N4, 3nm GAA·2nm SF2), DRAM 등 메모리 병행

제품특징

3nm GAA(MBCFET) 세계 최초 양산 거점(S3), EUV 다층 적용 최선단 로직, 첨단 메모리 R&D·양산

장비

ASML EUV(NXE·차세대 High-NA 검토)·DUV, Applied Materials·Lam·Tokyo Electron, KLA 계측

규모

300mm, 파운드리(S3·V1)+메모리 복합 대규모 단지

인력

확인 필요(사업장 단위 비공개)

지분구조

이재용 일가·특수관계인 ~20%, 국민연금 ~7%, 외국인 기관 50%+

설명

EUV 파운드리(3nm·2nm SF2) + 메모리 거점.

배경

삼성 파운드리의 최선단 EUV 라인이 있는 기술 심장부로, GAA 기반 3nm·2nm의 수율 확보 경쟁이 벌어지는 현장이다. 파운드리 사업 존속 논쟁 속에서 퀄컴·테슬라 등 대형 고객 수주 회복 여부가 이곳 가동률에 직결된다. 메모리 R&D 라인도 함께 있어 삼성 기술 로드맵 전반의 산실 역할을 한다.

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