RibbonFET(GAA)·PowerVia(백사이드 전력공급), High-NA EUV 도입
장비
ASML High-NA EUV(업계 최초 도입)·EUV·DUV, AMAT·Lam·TEL·KLA
규모
300mm; 공정 R&D 허브(D1X 확장)
인력
오리건 약 2만명+(인텔 최대 사업장)
지분구조
기관 분산 + 미 정부 지분 ~10% (2025 CHIPS 출자 전환)
설명
최첨단 공정 R&D 본산 — 18A 개발·초기 생산 허브.
배경
인텔 공정 기술의 총본산으로 모든 신노드가 이곳에서 개발된 뒤 양산 팹으로 복제된다. High-NA EUV를 세계에서 가장 먼저 도입해 18A 이후 세대(14A) 개발을 진행하는 것이 최대 관전 포인트다. 인텔 파운드리 전략의 성패, 나아가 미국의 최선단 공정 자립 여부가 이곳 개발 성과에 달려 있다.