고후 팹
르네사스 · 일본
르네사스로직(IDM)가동📍 일본
개요
- 기업
- 르네사스
- 국가
- 일본
- 유형
- 로직(IDM)
- 상태
- 가동
- 주요제품
- 실리콘 전력반도체(IGBT·파워 MOSFET, 차량·전동화)
- 제품특징
- 300mm 전력반도체 전용(IGBT·MOSFET), SiC는 공식 명시 없음
- 장비
- 전력반도체 전공정(DUV)
- 규모
- 투자 약 900억엔, 2024.4 재가동·2025 양산으로 파워 생산능력 2배, 300mm
- 인력
- 확인 필요
- 지분구조
- 일본 상장 — INCJ 정부계 지분 축소 중
설명
300mm 실리콘 전력반도체(IGBT·MOSFET) 전용 2024년 재가동.
배경
폐쇄됐던 팹을 전력반도체 전용으로 재가동한 르네사스 파워 전략의 핵심 시설이다. 전기차·산업용 IGBT 내재화를 겨냥했으나 전력반도체 수요 둔화로 램프 속도 조절이 이슈가 됐다. SiC 시장 진입 계획과 맞물려 가동 전략이 재편되는 중이다.
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