기타카미 K1·K2
키옥시아·WD · 일본
키옥시아·WD메모리가동📍 일본
개요
- 기업
- 키옥시아·WD
- 국가
- 일본
- 유형
- 메모리
- 상태
- 가동
- 주요제품
- 3D NAND(BiCS9 218단, BiCS10 332단)
- 제품특징
- 332단 10세대 3D NAND(밀도 약 59%↑, 4.8Gb/s), AI 데이터센터용
- 장비
- DUV, 고적층 식각·본딩 공정
- 규모
- K2(Fab2) 2025.9 가동, 2026.7 332단 양산 개시, 300mm, 샌디스크 JV
- 인력
- 확인 필요
- 지분구조
- 도시바 ~15.1%(2026.7 일부 매각 후), 2024 상장·베인 컨소시엄 2026.7 완전 엑시트(SK하이닉스 관련 SPV 지분은 베인 청산으로 재확인 필요) — 팹은 샌디스크와 JV
설명
K2 2025.9 가동 — 2026년 332단 3D NAND 생산 개시.
배경
욧카이치 일극 집중을 완화하기 위한 제2거점으로 최신 세대 낸드 양산을 담당한다. K2 가동은 낸드 업턴에 맞춘 증설 투자로 일본 정부 보조금이 투입됐으며, 차세대 고단수 3D 낸드의 주무대가 될 전망이다.
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