벌링턴 Fab9
글로벌파운드리 · 미국
글로벌파운드리파운드리가동📍 미국
개요
- 기업
- 글로벌파운드리
- 국가
- 미국
- 유형
- 파운드리
- 상태
- 가동
- 주요제품
- GaN(질화갈륨) 전력·RF(RFSOI) — 미국 첫 GaN 대량생산 라인으로 현대화
- 제품특징
- GaN-on-Si 전력·RF 특수(EV·전력망·5G/6G), TSMC 기술 라이선스·Navitas 협력
- 장비
- DUV 위주(특수 공정)
- 규모
- 200mm 주력; GF 미국 투자(NY·VT) 약 140억달러의 일부, GaN 양산 2026년 말 목표
- 인력
- 에식스정션(벌링턴) 약 1,800명
- 지분구조
- UAE 국부펀드 무바달라 ~81%
설명
미국 첫 대량생산 GaN 라인으로 현대화.
배경
구 IBM 마이크로일렉트로닉스 자산으로 RF SOI 등 통신 특화 공정의 본산이다. GaN 전력·RF 라인 전환으로 국방·통신 인프라용 화합물 반도체의 미국 내 생산이라는 전략적 의미를 얻었다. 중국의 갈륨 수출통제 이후 서방 GaN 공급망에서 존재감이 커졌다.
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