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베이징 팹

개요

기업

SMIC

국가

중국

유형

파운드리

상태

가동·확장

주요제품

28nm 이상 성숙노드 파운드리 (전력·소비자·통신 IC)

제품특징

이좡(베이징) 12인치 거점, 28nm+ 성숙공정 증설. EUV 미도입, DUV 기반. 미국 제재로 첨단장비 확충 제약.

장비

ASML DUV(EUV 반입 금지), 국산화(나우라·AMEC) 확대, AMAT·Lam·TEL(제재 영향).

규모

12인치 신규 팹 월 수만~10만 장 목표(추정). 국가 반도체기금 지원.

인력

확인 필요

지분구조

중국 국가IC기금(빅펀드) 등 국유 지분 다수 — 미 제재 대상

설명

이좡 12인치 거점 — 28nm+ 증설.

배경

중국 성숙공정 증설 붐의 대표 현장으로 28nm 이상 캐파를 공격적으로 늘리고 있다. 중국산 레거시 칩 과잉공급 우려의 진원지 중 하나로, 서방의 성숙공정 관세·규제 논의가 겨냥하는 지점이다. 국가 빅펀드 자금이 집중 투입되는 수도권 거점이라는 상징성도 있다.

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